RJK5026DPP-E0#T2

Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Specifiche
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	-
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-220FP
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	1.7 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	28.5W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	440pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	14nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	500V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	6A (Ta)