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PDTC144TT,215

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:TO-236AB (SOT23)
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):-
Resistenza - Base (R1) (ohm):47k
Potenza - Max:250mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:-
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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