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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > PMEM4030PS,115

PMEM4030PS,115

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:390mV @ 300mA, 3A
Tipo transistor:PNP + Diode (Isolated)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Potenza - Max:1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:100MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 1A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):2A


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