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PBLS2002S,115

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V, 20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):4.7k
Resistenza - Base (R1) (ohm):4.7k
Potenza - Max:1.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:100MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA, 100nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA, 3A


Se hai avuto compendenti sbagliati che non sono ordinati. RICERCA CHI AVUTTI A BUSIONI PER LA CONSEGNA.
Se è nostro, consegneremo i componenti giusti per le merci di scambio dopo che abbiamo ricevuto compendenti sbagliati.
Se è tuo, il cliente assumerà la responsabilità al riguardo. Per i dettagli, si prega di contattare con il nostro servizio clienti o le vendite.