CSD87333Q3D

N/A
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti

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Vgs (th) (max) a Id:	1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:	8-VSON (3.3x3.3)
Serie:	NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:	14.3 mOhm @ 4A, 8V
Potenza - Max:	6W
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	8-PowerTDFN
temperatura di esercizio:	125°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	662pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	4.6nC @ 4.5V
Tipo FET:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:	Logic Level Gate, 5V Drive
Tensione drain-source (Vdss):	30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	15A

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