RUE002N02TL

LAPIS Semiconductor
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 1mA
Vgs (Max):	±8V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	EMT3
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Dissipazione di potenza (max):	150mW (Ta)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	SC-75, SOT-416
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	25pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	-
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	1.2V, 2.5V
Tensione drain-source (Vdss):	20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	200mA (Ta)

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