DTD143ECT216

LAPIS Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:	NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:	SST3
Serie:	-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):	4.7k
Resistenza - Base (R1) (ohm):	4.7k
Potenza - Max:	200mW
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio:	Surface Mount
Frequenza - transizione:	200MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	47 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):	500mA