SPP24N60CFDHKSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-220
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
SPP24N60CFDHKSA1.pdf

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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	5V @ 1.2mA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	PG-TO220-3-1
Serie:	CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:	185 mOhm @ 15.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	240W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-220-3
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	3160pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	143nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	650V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	21.7A (Tc)