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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > IRL6297SDTRPBF

IRL6297SDTRPBF

IRL6297SDTRPBF
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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 35µA
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ SA
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:4.9 mOhm @ 15A, 4.5V
Potenza - Max:1.7W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric SA
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2245pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A


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