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IRF7421D1PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
IRF7421D1PBF.pdf

codice IRF7421D1PBF È una parte comunemente usata? : Sì
Spedito da: magazzino HK o Singapore
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Vgs (th) (max) a Id:	1V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	8-SO
Serie:	FETKY™
Rds On (max) a Id, Vgs:	35 mOhm @ 4.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	2W (Ta)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	27nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	Schottky Diode (Isolated)
Tensione drain-source (Vdss):	30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	5.8A (Ta)

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