IRF1503STRLPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Specifiche
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	4V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	D2PAK
Serie:	HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:	3.3 mOhm @ 140A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	200W (Tc)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	5730pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	200nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	75A (Tc)