IPD50R3K0CEBTMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Prezzo
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5000	$0.158
12500	$0.148
25000	$0.14
62500	$0.137

Specifiche
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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	3.5V @ 30µA
Vgs (Max):	±20V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	PG-TO252-3
Serie:	CoolMOS™ CE
Rds On (max) a Id, Vgs:	3 Ohm @ 400mA, 13V
Dissipazione di potenza (max):	18W (Tc)
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	84pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	4.3nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	13V
Tensione drain-source (Vdss):	500V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	1.7A (Tc)