Accesso
Richiedi un preventivo
Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 140µA |
---|---|
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-7-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.05 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 188W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 17600pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 239nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |