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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > IKW03N120H2FKSA1

IKW03N120H2FKSA1

IKW03N120H2FKSA1
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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.8V @ 15V, 3A
Condizione di test:800V, 3A, 82 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:9.2ns/281ns
di scambio energetico:290µJ
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO247-3
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):42ns
Potenza - Max:62.5W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
carica gate:22nC
Corrente - collettore Pulsed (Icm):9.9A
Corrente - collettore (Ic) (max):9.6A


Se hai avuto compendenti sbagliati che non sono ordinati. RICERCA CHI AVUTTI A BUSIONI PER LA CONSEGNA.
Se è nostro, consegneremo i componenti giusti per le merci di scambio dopo che abbiamo ricevuto compendenti sbagliati.
Se è tuo, il cliente assumerà la responsabilità al riguardo. Per i dettagli, si prega di contattare con il nostro servizio clienti o le vendite.

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