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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > MIXA81H1200EH

MIXA81H1200EH

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.2V @ 15V, 77A
Contenitore dispositivo fornitore:E3
Serie:-
Potenza - Max:390W
Contenitore / involucro:E3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:-
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
Corrente - Cutoff collettore (max):200µA
Corrente - collettore (Ic) (max):120A
Configurazione:Full Bridge Inverter


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