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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > IXGE200N60B

IXGE200N60B

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.3V @ 15V, 120A
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS220™
Serie:HiPerFAST™
Potenza - Max:416W
Contenitore / involucro:ISOPLUS227™
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:11nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
Corrente - Cutoff collettore (max):200µA
Corrente - collettore (Ic) (max):160A
Configurazione:Single


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