| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 100-TQFP (14x14) |
| Velocità: | 35ns |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 100-LQFP |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 256Kb (16K x 16) |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Interfaccia: | Parallel |
70V261L35PF8
IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP
70V261L25PFI
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
70V261L25PFG8
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
70V261S25PF
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
70V261L25PFI8
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
70V261L55PF8
IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP
70V261S25PF8
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
70V261L25PFGI
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
70V261L55PF
IC SRAM 256KBIT 55NS 100TQFP
70V261L25PFGI8
IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP
RMCF1206FT18K2
RES SMD 18.2K OHM 1% 1/4W 1206
AC0603FR-071K69L
RES SMD 1.69K OHM 1% 1/10W 0603
RE0402FRE0712K1L
RES SMD 12.1K OHM 1% 1/16W 0402
RE1206FRE071K37L
RES SMD 1.37K OHM 1% 1/4W 1206
RMCP1206FT4R70
RES SMD 4.7 OHM 1% 1/3W 1206
AA0402FR-07274RL
RES SMD 274 OHM 1% 1/16W 0402
AA1206JR-07300RL
RES SMD 300 OHM 5% 1/4W 1206
RG1005P-4021-D-T10
RES SMD 4.02KOHM 0.5% 1/16W 0402
ERJ-S06F47R5V
RES SMD 47.5 OHM 1% 1/8W 0805
RC2010FK-07931KL
RES SMD 931K OHM 1% 3/4W 2010
