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FJN3304RBU

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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):47k
Resistenza - Base (R1) (ohm):47k
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tipo montaggio:Through Hole
Frequenza - transizione:250MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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