FDI9406_F085

Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
Senza piombo / RoHS conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Prezzo
1	$2.83
10	$2.538
100	$2.04
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1000	$1.389

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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	4V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	I2PAK (TO-262)
Serie:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:	2.2 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	176W (Tj)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	7710pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	138nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):	10V
Tensione drain-source (Vdss):	40V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	110A (Tc)