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FDD6696

FDD6696
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Processo di acquisto

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1715pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 50A (Tc)


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