AOI4184

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Confezione

Vgs (th) (max) a Id:	2.6V @ 250µA
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:	TO-251A
Serie:	-
Rds On (max) a Id, Vgs:	8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):	2.3W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	TO-251-3 Stub Leads, IPak
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:	1800pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:	33nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Caratteristica FET:	-
Tensione drain-source (Vdss):	40V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:	12A (Ta), 50A (Tc)