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NSVT65010MW6T1G

NSVT65010MW6T1G
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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):65V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88 (SOT-363)
Serie:-
Potenza - Max:380mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:100MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):15nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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