MUN5212DW1T1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Contiene piombo / RoHS non conforme
Prodotti a semiconduttore discreti
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Confezione

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:	250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:	-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):	22k
Resistenza - Base (R1) (ohm):	22k
Potenza - Max:	250mW
imballaggio:	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio:	Surface Mount
Frequenza - transizione:	-
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):	100mA

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