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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > BC847BPDXV6T1

BC847BPDXV6T1

BC847BPDXV6T1
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Processo di acquisto

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):45V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-563
Serie:-
Potenza - Max:500mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:100MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):15nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA


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